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通過晶圓級封裝的Bumping (凸塊) 和 RDL (重布線)技術,在晶圓的表面實I/O的重新Layout 及Solder / Copper pillar bump 的引出實現倒裝芯片的凸塊加工,進一步實現先進細間距(Fine-pitch) Flipchip封裝;以及通過向芯片內或外的扇入(Fan-in) 技術實現WLP(Wafer level PKG,晶圓級封裝)技術,在封裝體內部采用正裝芯片(Die bond/Wire bond) 焊線或先進的正裝芯片+倒裝芯片的混合封裝(Hybrid BGA)技術實現芯片和基板的互聯,以及在封裝體基板的背面制作陣列焊錫球作為芯片的I/O端與印刷線路板(PCB)互接。<br>
關鍵詞:
QFN/DFN封裝(方形扁平無引腳封裝)基于銅框架(Copper Lead Frame) 的QFN/DFN封裝,封裝體中央區(qū)域采用大面積裸露焊盤用來導熱,大焊盤四周的封裝外圍有實現電氣連結的導電焊盤。
關鍵詞:
FCCSP/FCBGA (Flipchip CSP/BGA)封裝:先進高密度倒裝芯片級封裝,采用Cu pillar 或Solder bump 通過將芯片翻轉與基板連接,采用散熱蓋(Heat sink)等高散熱解決方案,從而提供更好的電性能,更好的散熱性,及好的焊點可靠性。
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